铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破

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最近几天，北京明伽半导体有限公司利用导模法成功制备出高质量主面4英寸氧化镓单晶，完成了4英寸氧化镓晶片衬底的技术突破，并进行了反复实验，成为国内首家掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸单晶衬底生长技术的工业化公司。

根据晶圆测试和分析，其晶体质量和加工工艺也保持在产品级标准劳厄测试表明，衍射斑点清晰，对称，表明晶体单晶性好，无孪晶

图:单晶晶片的均方根值:0.490纳米

图:晶片摇摆曲线的FWHM:72弧度秒

稳态氧化镓晶体具有单斜结构和解理面就生长技术而言，以晶相为主平面的氧化镓晶体更容易生长，但以晶体为主平面的生长技术对工艺控制要求极高就加工工艺而言，在相同的加工条件下，面的表面质量和成品率更好，该面容易解理和断裂，难以实现高效率和高质量的表面加工从应用的角度来看，主面晶相的氧化镓更适合用于功率半导体器件，因此主面晶相的氧化镓生长很难控制，但具有很大的工业价值换句话说，如果没有大主面晶相的氧化镓的生长过程，推进氧化镓的市场应用将会极其困难

同时，明伽公司的光学晶体已经完成中试，开始改造和量产明加公司生产的掺杂人工光学晶体得到了客户的广泛认可此外，磷化铟多晶材料生产线也已投产，完成重点客户认证，获得长期稳定订单

本站了解到，北京明伽半导体有限公司是新型高频大功率半导体材料产业化的先行者之一，致力于半导体人工晶体产业的多元化发展，从事相关高频大功率器件的设计，研发和产业化R&D总部位于北京顺义，主要生产基地在河南，设备R&D在深圳公司拥有完整的材料R&D和生产线，总面积超过20，000平方米

今年6月底，明伽半导体完成A轮融资近1亿元本轮融资主要用于氧化镓项目的扩产和研发预计到2023年底，建成国内首条集晶体生长，晶体加工，薄膜外延为一体的氧化镓完整产业线2021年，2英寸氧化镓衬底材料小批量生产，不仅由科研院所开发，还提供给重要企业客户小批量使用

Ga半导体国际R&D产业团队核心成员包括来自日本国立佐贺大学，东京大学，东京工业大学，清华大学，九州大学，中国科学院等多所博士R&D团队，以及卢晓科技，SMIC等多位拥有10年以上工作经验的总监型产业技术人才，员工近百人。

明半导体自主研发建设创新型R&D基地，可满足氧化镓单晶生长，氧化镓异质/同质外延片生长，多掺杂大尺寸人工光学晶体生长，磷化铟多晶/单晶生长，晶体加工，芯片器件系统制造和测试等技术开发和成品规模化生产为国内从事高频大功率半导体后端器件研发的研究机构和企业提供上游物质保障

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